STGW60V60DF

功能描述:IGBT 晶体管 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2.35 V

栅极/发射极最大电压:+/- 20 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

栅极—射极漏泄电流:250 nA

功率耗散:375 W

最大工作温度:+ 175 C

封装 / 箱体:TO-247

封装:Tube

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